2017年2月3日，普冉半導體獲得Pre-A輪融資，金額未透露，投資方為賽伯樂投資。
　　2019年10月29日，普冉半導體獲得A輪融資，金額未透露，投資方為同創偉業、元禾控股、亦合資本。
　　2020年1月15日，普冉半導體獲得A+輪融資，金額未透露，投資方為張江火炬創投。

　　普冉半導體（上海）有限公司是非易失性存儲器、高安全存儲器、無刷直流風機以及高性能磁傳感芯片的供應商。作為一家技術創新型半導體設計公司，公司成立于2012年，總部位于上海張江高科技園區，深圳設有銷售和現場應用服務與支持中心，同時在北京、臺灣和韓國設有辦事處。
　
　　作為半導體行業的創新者，普冉聯合國內領先晶圓廠，整合最先進的設計和工藝優勢，致力于研發28nm~55nm超低功耗、高可靠性的NOR型串行Flash存儲器產品，可應用于傳統的消費類和工業市場以及新興的應用市場。普冉的NOR型串行Flash存儲器產品，具有極具競爭力的裸芯片尺寸和超高性能優勢，為MCP 和MCU 方案商提供了一個很好的選擇。
　
　　普冉還推出的130nm 非易失性IIC EEPROM存儲器具備業界領先的400萬次擦寫壽命、6KV靜電防護能力、極低的工作電流和靜態功耗，在智能電網、汽車前裝、工業控制、以及新興的IoT領域廣泛應用。

　　普冉半導體（上海）有限公司是專注于汽車、工業及消費類應用的超低功耗Flash存儲器、高安全Flash存儲器、高可靠性EEPROM存儲器、直流電機驅動及高性能磁傳感芯片的無自有晶圓廠半導體設計公司。公司成立于2012年，總部位于上海張江高科技園區，在深圳南山科技園新區設有銷售和現場應用服務與支持中心。
　
　　作為半導體行業創新者，普冉推出業界最為領先的55nm超低功耗NOR Flash Memory，具備100nA休眠功耗和小于5mA擦寫讀功耗，廣泛用于IoT、手持、OLED屏、穿戴、安防、PC、家電、太陽能和車載娛樂領域。
　
　　新一代110nm非易失性EEPROM存儲器具備國內領先的400萬次擦寫壽命、6KV靜電防護能力、極低的工作電流和靜態功耗，在智能電網、汽車前裝、工業控制領域廣泛應用。
　
　　普冉配合國內領先半導體企業開發的40-55nm高安全Flash產品也成為國內金融IC產品打破國外壟斷的先行者和貢獻者。
　
　　普冉致力于成為世界領先的利基市場非易失存儲器芯片及新型存儲器芯片設計公司。