2021年3月9日，派恩杰獲得數(shù)千萬人民幣的天使輪融資，投資方為創(chuàng)東方投資。

　　派恩杰半導體（杭州）有限公司（簡稱“派恩杰”）是第三代半導體功率器件設計公司，杭州市蕭山區(qū)5G創(chuàng)新谷。以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體器件是電力電子領域革命性的成果。其廣泛應用于新能源、智能電網(wǎng)、物聯(lián)網(wǎng)、電力電子等領域。派恩杰產品有碳化硅MOSFET，碳化硅二極管；氮化鎵晶體管等，致力于碳化硅與氮化鎵功率器件的研發(fā)迭代與量產轉化，聯(lián)合代工廠實現(xiàn)開模量產與技術升級，填補國內技術產業(yè)空白。

　　派恩杰技術團隊項目有領先的產品技術和持續(xù)研發(fā)能力。團隊成員所擁有的產品技術領先國內3-5年，其中碳化硅MOS技術填補國內空白。技術團隊本身具有技術知識儲備，能夠根據(jù)市場客戶需求完成產品的迭代設計和定制開發(fā)。銷售團隊有精準的客戶資源和完整的市場銷售渠道。銷售團隊成員本身就已經(jīng)充分掌握國內和亞太區(qū)域客戶資源，包括國際龍頭競爭對手的客戶資源，另有從渠道總代理、區(qū)域分銷商到終端客戶的完成推廣渠道。 運營團隊有量產制造經(jīng)驗和完善組織架構履歷。項目運營團隊均來自上市同行企業(yè)，并在國內外同類企業(yè)工作多年，核心人員有著10年以上半導體行業(yè)工作和管理經(jīng)驗。在行業(yè)內有著廣泛的人脈資源，有潛在人員儲備。

　　派恩杰第一代650V氮化鎵HEMT器件經(jīng)過第三方對比測試，樣品數(shù)據(jù)對標英飛凌，派恩杰的產品頻率特性可提高100%，原材料成本低10%，綜合損耗低70%，綜合良率水平90%以上，具備量產條件。第二代產品聯(lián)合開發(fā)，設計方案對標Navitas，進行中。 碳化硅MOS產品設計性能經(jīng)過實測，主要參數(shù)指標符合設計要求，該產品是使用6英寸可量產的Gen3水平碳化硅MOS技術，填補國內空白，樣品已開始送樣。2020年一季度推向市場。針對車用市場開發(fā)的1200V大電流系列產品已開始設計流片，2020年第三季度末推向市場。